Bachelorarbieten

Bachelor-, Masterarbeit in
Elektrotechnik/Materialwissenschaften/Physik

Charakterisierung der Einflussfaktoren auf den thermischen Widerstand einer RRAM-Zelle

(a) Simulationsmodell eines 5x5 Arrays. (b) An den Schnittpunkten befinden sich die RRAM-Zellen.

(c) Der thermische Widerstand variiert beispielsweise mit dem Abstand der Elektroden.

Resistive Speicherzellen (RRAM = resistive random access memory) sind eine vielversprechende Alternative für zukünftige nichtflüchtige Speicheranwendungen und neuromorphe Anwendungen aufgrund schneller Schaltzeiten, guter Skalierbarkeit sowie niedrigem Energieverbrauch.

In einer RRAM-Zelle ist die Information durch den Widerstand eines aktiven Materials abgespeichert. In der hier betrachteten Valenzwechselzelle (VCM) lässt sich der Widerstand durch Anlegen eines Potentials an die das resistive Material umgebenen Elektroden verändern. Durch der an der Speicherzelle abfallenden Spannung kommt es außerdem zu einer starken, lokal begrenzten Erwärmung (mehrere hundert bis über tausend Grad Celsius). Die nichtlineare Schaltkinetik ist dabei nicht nur von der Spannung, sondern auch von der Temperatur abhängig.

Die spannungsabhängige Temperatur einer RRAM-Zelle wird dabei durch einen thermischen Widerstand beschrieben. Dieser ist abhängig von intrinsischen und extrinsischen Faktoren. Insbesondere wenn mehrere RRAM-Zellen in einem Array angeordnet sind, wird der thermische Widerstand einer einzelnen Zelle von seiner Umgebung beeinflusst. In dieser Arbeit sollen die Einflussfaktoren auf den Wärmewiderstand in einem Simulationsmodell untersucht werden. Aus den Erkenntnissen über die Einflüsse auf den thermischen Widerstand lassen sich dann Designregeln für optimierte RRAM-Speicher herleiten.

Voraussetzungen:

  • Interesse an der Modellierung und Simulation physikalischer Vorgänge
  • Programmierkenntnisse in MATLAB/Python sind von Vorteil
  • Selbstständige Arbeitsweise in einem interdisziplinären Umfeld

Ansprechpartner:

Daniel Schön M.Sc.

Walter-Schottky-Haus (WSH), Raum 24B 005a

Tel: +49 241 80 27829

E-mail: Bitte diesem Link folgen.


21.08.2023

Bachelor-, Masterarbeit in
Elektrotechnik/Materialwissenschaften/Physik

Untersuchung und Modellierung der Zuverlässigkeit resistiver Speicherzellen

Resistive Speicherzellen (ReRAM) werden von Industrie und Forschung als aussichtsreiche Kandidaten für kommende, nichtflüchtige Speicheranwendungen sowie neuromorphe Anwendungen angesehen. Aufgrund ihrer schnellen Schaltzeiten, guter Skalierbarkeit sowie niedrigem Energieverbrauch gelten sie beispielsweise als potenzielle Nachfolger des etablierten Flash-Speichers.

Das Grundprinzip der Speicherzellen basiert auf der Veränderung des Widerstands eines aktiven Materials, im Fall der hier betrachteten Valenzwechselzellen (VCM) eines Metalloxids. Durch Anlegen einer Spannung an die das Oxid einschließenden Elektroden kann das Oxid teilweise reduziert werden. Durch diesen sogenannten Forming-Prozess entstehen Sauerstoffleerstellen, die die Leitfähigkeit des Oxids deutlich erhöhen können. Mit geeigneten Spannungen lassen sich diese Sauerstoffleerstellen reversibel verschieben, sodass zwischen einem hochohmigen (HRS) und einem niederohmigen (LRS) Zustand geschaltet werden kann. Diese Zustände können ausgelesen werden und entsprechen der logischen ‚0‘ und ‚1‘.

Verschiedene Zufallsprozesse sorgen dafür, dass sich jede Speicherzelle auf kurzen und langen Zeitskalen sowie von Schaltvorgang zu Schaltvorgang unterschiedlich verhält. Vor Allem auf industriellen Maßstäben mit Millionen Zellen und Schaltzyklen ist es von enormer Bedeutung diese Vorgänge zu verstehen und bestmöglich zu kontrollieren.

Ziel dieser Arbeit ist es daher, in enger Zusammenarbeit mit einem Industriepartner den Einfluss einiger dieser Zufallsprozesse auf die Reliability (Zuverlässigkeit) zu erforschen. Dabei sollen industriell hergestellte Speicherzellen untersucht, physikalische Modelle erstellt bzw. erweitert und Konzepte zur besseren Kontrolle der Speicherzellen erarbeitet werden.

Voraussetzungen:

  • Interesse und Spaß an experimenteller Arbeit
  • Interesse und Spaß an Simulationen/Programmierarbeit
  • Teamfähigkeit
  • Selbstständige Arbeitsweise

Ansprechpartner:

Nils Kopperberg M.Sc. oder Dr. Stefan Wiefels

Walter-Schottky-Haus, Raum 24C409

E-mail: Bitte diesem Link folgen.

Bachelor-, Masterarbeit in
Elektrotechnik/Materialwissenschaften/Physik

Characterization of irreversible processes in valence change memory (VCM) cells on a sub-nanosecond time scale

Redox-based resistive memories (ReRAMs), have among other emerging memory technologies, a high potential to successfully address the technological barriers that conventional computing architectures face. In addition to have high endurance, long retention, high scalability, and fast writing times, ReRAMs also have potential to be used for neuromorphic applications or in-memory computing.

The use of bipolar memory devices to achieve synaptic connectivity in neural networks is highly dependent on the ability of the devices to perform analogue conductance modulation using electrical stimuli in the form of identical voltage pulses. Typically, the filamentary components of the valence change memory (VCM) type exhibit abrupt SET switching behaviour and gradual RESET switching behaviour. Therefore, obtaining an analogue modulation of the conductance during SET and RESET is a challenge.

In order to achieve analogue writing modes with ultra-short pulses, using a Bias tee we can simultaneously apply a series of ultra-short pulses (ps) and a continuous read voltage. So one can measure the resistance changes while applying pulse trains.

The aim of the thesis is to characterize irreversible processes (such as ion migration), investigate analogue modes of operation, and realize STP/LTP by gradual stepwise switching events in resistive switching valence change memory (VCM). To investigate as many intermediate states as possible, these irreversible processes must be implemented in as small steps as possible. This is realized by applying ultra-short pulses (ps) and measuring the change of resistance. The idea is to generate a linear relationship between the change in resistance and the number of pulses using our ultra-fast RF setup.

The electrical characterization will be conducted on our ultra-fast RF setup, using bias tee, SMU, pulse generator and oscilloscope. The measurements are controlled and evaluated via python code. Thus, basic knowledge of python, MATLAB or any other programming language is desirable.

Requirements:

  • Basic programming skills (Ideally python).
  • Interest in experimental and multidisciplinary work
  • High motivation and self-directed learning/working.

Contact:

Faisal Munir

Walter-Schottky-Haus (WSH), Raum 24B 007

Tel: +49 241 80 27817

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Dr. Stefan Wiefels

Forschungszentrum Jülich (PGI-7)

Tel: +49 2461 61 5881

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Bachelor-, Masterarbeit in
Elektrotechnik/Materialwissenschaften/Physik

Simulation compact modelling for ReRAM

The Institut für Werkstoffe der Elektrotechnik II (IWE II) deals with the nanoelectronic materials and their applications in information technology. Specifically, we focus on so-called resistive memory cell (ReRAM), which are promising candidates for the development of a completely new special computer hardware. The operation of these memory cell is based on a change in the resistance of the active material (switching layer), which can be induced by applying voltage. A distinction is made between different switching mechanisms. In the case of the filamentary valence change mechanism (VCM), a filament in the metal oxide layer is partially reduced/created by applying a forming voltage. The reduction of oxygen in this process increases the conductivity of the layer. These filament layer can be shifted by setting a switching voltage so that the cell can be switched between the high resistance state (HRS) and the low resistance state (LRS).

The parameters of this filament influence the external measurable characteristics such as the resistance and the dynamics of the cells. In this work, we study and develop physics-based compact models for filamentary VCM cells, especially focus to implement the conduction mechanism included in the literature from Funck et al (DOI: /10.1021/acsaelm.1c00398).

Conditions:

  • Interest about the simulation and physics-based modelling
  • Self-directed learning/working
  • Basic knowledge of Matlab and/or Verilog-A (with Cadence) code
  • English communication (This work will go on english)

Contact:

Seokki Son

Walter-Schottky-Haus, Raum 24B 409

Tel: 0241/80 27815

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06.04.2022

Bachelor-, Masterarbeit in
Elektrotechnik/Materialwissenschaften/Physik

Einfluss der Dotierstoffkonzentration auf die ferroelektrischen Eigenschaften von HZO Dünnschichten

Ferroelektrische Materialien weisen eine spontane Polarisation auf, die sich über ein äußeres elektrisches Feld schalten lässt. Die eingestellte Polarisationsrichtung bleibt größtenteils auch im potentialfreiem Zustand erhalten und lässt sich auf unterschiedlichste Weise nutzbar machen.

Neuere ferroelektrische Materialien basierend auf Hafnium-Zirkonium-Oxid (HZO) gelten insbesondere aufgrund ihrer inhärenten CMOS Kompatibilität als günstige Kandidaten für zukünftige nichtflüchtige Informationsspeicher. Die in der elektrischen Polarisation des Materials gespeicherte Information lässt sich dabei über verschiedene Bauelementkonzepte wie z.B. FeRAM (engl.: ferroelectric random-access memory) oder FTJ (engl.: ferroelectric tunnel junction) schaltungstechnisch zugänglich machen.

Jedoch kristallisiert HZO nur unter bestimmten Vorrausetzungen in der ferroelektrischen Phase, die sich über das kontrollierte Einstellen bestimmter Parameter induzieren lässt. Hierzu zählen z.B. die Sauerstoffleerstellenkonzentration, mechanische Spannungen induziert durch entsprechende Elektroden oder die Dotierung. Interessante Dotierstoffe sind dabei unter anderem Yttrium und Lanthan.

Im Rahmen dieser Arbeit sollen ferroelektrische HZO-Dünnschichten basierend auf einer bereits etablierten CSD-Route (engl.: chemical solution desposition) hergestellt und elektrisch charakterisiert werden. Dabei soll die Konzentration eines vorher festgelegten Dotierstoffs variiert und die hergestellten Schichten hinsichtlich ihrer ferroelektrischen Eigenschaften verglichen werden.

Die Deposition und Strukturierung der Elektroden erfolgt mittels gängiger Methoden der Chipherstellung durch Sputtern und Photolithographie. Für die elektrische Charakterisierung stehen flexibel anpassbare Messaufbauten zur Verfügung. Die Bestimmung der Kristallphase ist mittels eines Röntgendiffraktometers (XRD) möglich.

Voraussetzungen:

  • Interesse und Spaß an experimenteller, interdisziplinärer Arbeit.
  • Selbständige Arbeitsweise

Ansprechpartner:

Jan Lübben (M. Sc.)

Walter-Schottky-Haus, Raum 24B 007Sommerfeldstraße 18/24, 52074 Aachen

Tel: +49 241 80 27817

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02.11.2021

Bachelor-, Masterarbeit in
Elektrotechnik/Materialwissenschaften/Physik

Einfluss der Dotierstoffkonzentration auf die elektrochemischen Eigenschaften von ReRAM Speicherzellen

Resistive Speicherzellen (ReRAM) gelten als vielversprechende Kandidaten für zukünftige, nichtflüchtige Speicheranwendungen. Aufgrund ihrer schnellen Schaltzeiten, Skalierbarkeit und niedrigem Energieverbrauch können Sie in Zukunft in einem breiten Anwendungsspektrum Verwendung finden.

Die Funktionsweise der Speicherzellen basiert auf einer Widerstandsänderung des aktiven Materials, welche durch das Anlegen einer Spannung reversibel hervorgerufen werden kann. Dabei wird zwischen verschiedenen Schaltmechanismen unterschieden. Bei Valenzwechselzellen (VCM) wird das aktive Material durch Anlegen einer Spannung reduziert, sodass sich ein leitfähiges Filament ausbildet.

Die (elektrochemischen) Eigenschaften der Zelle hängen dabei z.B von Faktoren wie dem Material der Elektroden, dem Oxid und auch der Art und Konzentration des Dotierstoffes ab.

Ziel der Arbeit ist es, den Einfluss verschiedener Parameter auf die (elektrochemischen) Eigenschaften der ReRAM Speicherzelle mittels Impedanzspektroskopie und Cyclovoltametrie zu bestimmen. Neben der Durchführung und der Auswertung der Experimente kann der Aufgabenbereich ggf. um die Herstellung der Proben erweitert werden.

Genaue Aufgabenstellung sowie Umfang werden an die Art der Abschlussarbeit angepasst. Alternativ ist auch eine Anstellung als wissenschaftliche Hilfskraft möglich.

Voraussetzungen:

Interesse und Spaß an experimenteller, interdisziplinärer Arbeit; Teamfähigkeit; Selbstständige Arbeitsweise.

Ansprechpartner:

Carsten Weber M.Sc.

Walter-Schottky-Haus, Raum 24B 007

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24.09.2021

Bachelorarbeit in
Elektrotechnik/Physik/Informatik

Kompaktmodellierung einer Phase-Change-Speicherzelle (PCM)

Phase-Change-Memory (PCM) gilt als einer der vielversprechenden Kandidaten für neuartige nichtflüchtige memristive Speichertechnologien. Auch das IWE II beschäftigt sich in Kooperation mit dem Forschungszentrum Jülich intensiv mit memristiven Bauelementen, u.a. mit Phase-Change-Memory. Solche zukünftige Speicheranwendungen gelten aufgrund ihrer Skalierbarkeit, ihrer schnellen Schaltzeiten und ihres niedrigen Energieverbrauchs als potentielle Nachfolger der etablierten Flash-Speicher. Auch neuromorphes Computing (= das Nachahmen der effizienten Rechenweise des menschlichen Gehirns), Computation-in-Memory sowie Deep Learning sind potentielle Realisierungen memristiver Speicherelemente.

Die Funktionsweise von memristiven Speicherzellen beruht auf einer Widerstandsänderung des aktiven Materials, welche durch Anlegen einer Spannung reversibel hervorgerufen werden kann.

Der Schaltmechanismus einer Phase-Change-Speicherzelle wird durch Änderung des Strukturzustands des Phase-Change-Materials erreicht: In der kristallinen Struktur ist die Speicherzelle im niederohmigen Zustand (low resistive state - LRS), und das Material hat eine relativ gute elektrische Leitfähigkeit. Durch das Anlegen einer Spannung und der daraus resultierenden Erwärmung schmilzt das Material und geht nach einem raschen Abkühlprozess in die amorphe Struktur über, in welcher die Zelle hochohmig ist (high resistive state -HRS). Das Material wird weniger elektrisch leitfähig.

Ziel dieser Bachelorarbeit ist es, ein Kompaktmodell einer Phase-Change-Speicherzelle zu entwickeln, das die wichtigsten physikalischen Gleichungen und Eigenschaften dieses elektrischen Bauelements umfasst und somit ihr Verhalten beim Anlegen von elektrischen Impulsen und im anschließenden Integrieren in einen Schaltkreis angemessen beschreibt. Dieses Kompaktmodell kann letztendlich in ein Simulationstool für Schaltungen integriert werden und die Wechselwirkung dieser Speicherzelle in einem Schaltkreis untersucht werden.

VORAUSSETZUNGEN:

  • Studium der Elektrotechnik, Informatik, Physik oder ein vergleichbares Fach
  • Interesse und Spaß an Simulationen und physikalischer Modellierung
  • Kenntnisse in Umgang mit Verilog-A und/oder Matlab sind hilfreich, aber nicht zwingend erforderlich

ANSPRECHPARTNER:

Rana Walied Ahmad, M. Sc.

Walter-Schottky-Haus, Raum 24C 413
Sommerfeldstraße 24, 52074 Aachen

E-mail: Bitte diesem Link folgen.

oder

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Startdatum: ab sofort

30.03.2021

Bachelorarbeit in
Elektrotechnik/Materialwissenschaften/Physik

Optimierung der Endurance resistiver Speicherzellen


Resistive Speicherzellen (ReRAM) gelten als vielversprechende Kandidaten für zukünftige, nichtflüchtige Speicheranwendungen. Aufgrund ihrer schnellen Schaltzeiten, Skalierbarkeit sowie niedrigem Energieverbrauch gelten sie als potentielle Nachfolger des etablierten Flash-Speichers.

Die Funktionsweise der Speicherzellen basiert auf einer Widerstandsänderung des aktiven Materials, welche durch das Anlegen einer Spannung reversibel hervorgerufen werden kann. Dabei wird zwischen verschiedenen Schaltmechanismen unterschieden. Bei Valenzwechselzellen (VCM) wird eine Metalloxidschicht durch Anlegen einer Forming-Spannung teilweise reduziert. Die dabei entstehenden Sauerstoffleerstellen sorgen für eine erhöhte Leitfähigkeit der Schicht.

Diese Sauerstoffleerstellen lassen sich durch Anlegen einer Schaltspannung verschieben, sodass die Zelle reversibel zwischen einem hochohmigen (HRS) und einem niederohmigen (LRS) Zustand geschaltet werden kann.

Diese Schaltvorgänge müssen für eine kommerzielle Nutzung der Speicherzellen mehrere Millionen Mal möglich sein, ohne dass das Material versagt.

Ziel dieser Arbeit ist es, die Einflüsse des Top-Elektrodenmaterials sowie der Schaltspannungen auf die Endurance (Anzahl der Schaltzyklen bis zum Versagen) zu untersuchen. Darauf aufbauend soll das ideale Elektrodenmaterial gewählt werden und die Schaltparameter bezüglich der Endurance optimiert werden.

Voraussetzungen:

  • Interesse und Spaß an experimenteller, interdisziplinärer Arbeit
  • Teamfähigkeit
  • Selbstständige Arbeitsweise

Von Vorteil aber nicht notwendig: Grundkenntnisse in MATLAB.

Ansprechpartner:

Stefan Wiefels M.Sc. oder
Moritz von Witzleben M.Sc.

Walter-Schottky-Haus, Raum 24B 005a

Tel: 0241/80 278 29

E-mail: Bitte diesem Link folgen.

Bachelor-, Masterarbeit in
Elektrotechnik/Materialwissenschaften/Physik

Untersuchungen des Threshold Switching Mechanismus basierend auf einer Feld induzierten thermischen Instabilität

Als Threshold Switching Devices werden elektronische Bauelemente bezeichnet, welche beim Anlegen eines kritischen elektrischen Feldes bzw. einer äußeren Spannung eine abrupte Widerstandsänderung zeigen. Dieses Phänomen konnte bereits in den unterschiedlichsten Materialien gefunden werden. Dies führte zu einer vielzahl von Erklärungsversuchen. Eine davon basiert auf einem so genannten Mott-Hubbard Phasenübergang. Dieser bewirkt einen Übergang von einer halbleitenden in eine metallische Phase. Eine detaillierte Betrachtung führt allerdings zu Widersprüchen. Eine neue Erklärung für das Threshold Switching wurde gegeben durch eine Erklärung die vollständig auf den elektronischen Materialeigenschaften basiert. Hierbei führt ein elektrisches Feld zu einer Absenkung der Aktivierungsenergie von lokalisierten Ladungsträgern. Durch diese Feldabsenkung können diese durch thermische Anregung leichter über die Barriere gelangen. Dies führt zu einer Erhöhung der Leitfähigkeit. Die wiederum führt zu einer Jouleschen Erwärmung. Aufgrund der steigenden Temperatur können nun mehr Ladungsträger aktiviert werden, was wiederum eine Erhöhung der Leitfähigkeit ergibt. Dies führt zu einer thermischen Instabilität, mit der Folge eines abrupten Anstiegs im Strom.[1] Neben der physikalischen Fragestellung, besitzt dieses Bauelement hohe technische Relevanz, da es als sogenannter Selektor verwendet werden kann, welcher es ermöglicht die Speicherkapazität von neuartigen Memories/Speichern zu erhöhen.

Das Ziel dieser Arbeit ist es diese mit Hilfe eines Simulationsmodells besser zu verstehen in wie fern sich dieses neuartige physikalische Konzept übertragen lässt auf andere Mott-Hubbard Isolatoren. Konkret handelt es sich dabei um die Weiterentwicklung eines solchen Simulationsmodel und einer Analyse der zeitlichen und räumlichen Entwicklung dieses Schaltens.

[1] C. Funck, S. Menzel, N. Aslam, H. Zhang, A. Hardtdegen, R. Waser, S. Hoffmann-Eifert, Adv. Electron. Mater. 2016, 2, 1600169/1.

Voraussetzungen:

In dieser Arbeit sind sowohl Interesse an Experimenten als auch an Simulationen gefragt. Dabei sollte das Grundsätzliche Interesse sein unbekannte physikalische Phänomen zu erklären.
Erste grundlegende Programmierkenntnisse in MATLAB oder Python könnten von Vorteil sein sind aber nicht erforderlich.

Ansprechpartner:

Carsten Funck

Walter-Schottky-Haus, Raum 24C 413

Tel: +49 241 80 27741

E-mail: Bitte diesem Link folgen.


Tyler Hennen (ausschließlich englisch)

Walter-Schottky-Haus, Raum 24C 409

Tel: +49 241 80 27815

E-mail: Bitte diesem Link folgen.

Bachelor-, Masterarbeit in
Elektrotechnik/Materialwissenschaften/Physik

Einfluss der Schreibbedingungen auf das Verhalten resistiver Speicherzellen

Resistive Speicherzellen (ReRAM) gelten als vielversprechende Kandidaten für zukünftige, nichtflüchtige Speicheranwendungen. Aufgrund ihrer schnellen Schaltzeiten, Skalierbarkeit sowie niedrigem Energieverbrauch könnten Sie in Zukunft den etablierten Flash-Speicher ablösen.

Die Funktionsweise der Speicherzellen basiert auf einer Widerstandsänderung des aktiven Materials, welche durch das Anlegen einer Spannung reversibel hervorgerufen werden kann. Dabei wird zwischen verschiedenen Schaltmechanismen unterschieden. Bei Valenzwechselzellen (VCM) wird das aktive Material durch Anlegen einer Spannung reduziert, sodass sich ein leitfähiges Filament ausbildet.

Die Eigenschaften dieses Filaments (z.B. Durchmesser, Sauerstoffleerstellenkonzentration, etc.) hängen dabei von den Schreibbedingungen ab und beeinflussen die messbaren Größen der Speicherzelle. Zu diesen Größen zählen unter anderem die Anzahl maximal möglicher Schaltzyklen oder die Stabilität des eingeschriebenen Widerstands.

Ziel dieser Arbeit ist es, den Einfluss der Schreibbedingungen auf die Eigenschaften des Filaments zu ermitteln, sowie bezüglich der Schalteigenschaften der Speicherzelle zu optimieren. Im Rahmen der Arbeit sollen daher resistive Speicherzellen selbstständig hergestellt und elektrisch charakterisiert werden.

Außerdem stehen Modelle zur Verfügung, die den Schaltmechanismus resistiver Speicherzellen abbilden. Ein Vergleich der experimentellen Ergebnisse mit Modellen wäre möglich und wünschenswert. Der Fokus der Arbeit soll jedoch auf der elektrischen Charakterisierung liegen.

Voraussetzungen:

Interesse und Spaß an experimenteller, interdisziplinärer Arbeit
Teamfähigkeit
Selbstständige Arbeitsweise
Von Vorteil aber nicht notwendig: Grundkenntnisse in MATLAB

Ansprechpartner:

Stefan Wiefels M.Sc.

Walter-Schottky-Haus, Raum 24B 005A

E-mail: Bitte diesem Link folgen.

Bachelor-, Masterarbeit in
Elektrotechnik/Materialwissenschaften/Chemie/Physik

Defektchemie von neuartigen auf Ba und Co basierten Elektrokatalysatoren zur Wasserelektrolyse

Ziel: Aufklärung der Defektchemie in neuartigen Perovskit-Katalysatoren durch elektrische Charakterisierung.

Die Energiewende benötigt technische Lösungen zur Pufferspeicherung von umweltabhängigen, erneuerbaren Energien zur Anpassung der eingespeisten Leistung an den Strombedarf der Verbraucher um die Flexibilität der Stromproduktion von z.B. Kohlekraftwerken zu ersetzen.

Eine vielversprechende Lösung ist die Erzeugung von Wasserstoff mithilfe der elektrokatalytischen Wasseroxidation (Wasserelektrolyse). So erzeugter Wasserstoff kann eingelagert und bei Bedarf über Brennstoffzellen wiederum in Energie umgewandelt werden. Momentan mangelt es jedoch an kostengünstigen Katalysatoren, die geeignet sind einen dauerhaften und effizienten Einsatz zu gewährleisten. Das größte Verbesserungspotential wird an der Sauerstoffanode gesehen, weshalb sich diese Masterarbeit mit einem Materialsystem beschäftigt, dass für die Sauerstoffentwicklung entwickelt wurde.

Eine Abschlussarbeit in diesem Themenbereich würde folgende Aspekte beinhalten:

  • Herstellung und Lithografie von Dünnen Schichten
  • Elektrische, strukturelle und elektrochemische Charakterisierung
  • Auseinandersetzung mit Modellen der Defektchemie

Voraussetzungen

Zuverlässigkeit; Lösungsorientiertes Denken; Grundkenntnisse der Festkörper- und Oberflächenphysik sowie der physikalischen und der allgemeinen Chemie; Überdurchschnittliche Studienleistungen; Spaß an experimenteller, multidisziplinärer Arbeit in gruppenübergreifenden Teams.

Ansprechpartner

Daniel Bick

E-mail: Bitte diesem Link folgen.

oder: Dr. Ilia Valov

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